Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)
 
MPSH10

- Габаритный чертеж

MPSH10 — TRANSISTOR NPN RF VHF/UHF TO-92

ПроизводительFairchild Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)25V
Модуляция частот650MHz
Мощность макcимальная350mW
Тип транзистораNPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Ток коллектора (макс)50mA
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-92-3 (Standard Body), TO-226
Встречается под наим.MPSH10FS
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MPSH10_D75ZMPSH10_D75ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 25V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MPSH10_D74ZMPSH10_D74ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 25V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MPSH10_D27ZMPSH10_D27ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 25V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MPSH10_D26ZMPSH10_D26ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 25V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MPSH11MPSH11Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MPSH11_D27ZMPSH11_D27ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 25V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
FPNH10Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN 25V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MPSH10» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте