Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель	Diodes Inc
Вредные вещества	RoHS Без свинца
Обратите внимание	Encapsulate Change 15 май 2008

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	40В
Модуляция частот	400MHz
Мощность макcимальная	300mW
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 8mA, 10V
Ток коллектора (макс)	50mA
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Встречается под наим.	MMBTH24-FDITR

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MMBTH24-7	Diodes Inc	TRANS NPN VHF/UHF 40V SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 400MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов