Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

MMBTH10RG — TRANSISTOR RF NPN SOT-23

Производитель	Fairchild Semiconductor
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Обратите внимание	Mold Compound Change 12 дек 2007
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	40В
Модуляция частот	450MHz
Мощность макcимальная	225mW
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 1mA, 6V
Ток коллектора (макс)	50mA
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3