Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель	Diodes Inc

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	25V
Модуляция частот	650MHz
Мощность макcимальная	300mW
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 4mA, 10V
Ток коллектора (макс)	50mA
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Встречается под наим.	MMBTH10CT, MMBTH10CT-ND, MMBTH10DICT

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MMBTH10-7-F	Diodes Inc	TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов