KSC2786OTA | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 600MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 450MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 600MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 10mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 600MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 500MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 2V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 1.1GHz · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PN918	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR RF NPN 15V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 600MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BF199_D74Z	Fairchild Semiconductor	TRANS RF NPN 25V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	KSC1730YTA	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 15V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MMBTH10RG	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR RF NPN SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 450MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MMBT5770	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR RF NPN SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 600MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 10mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSH17_D26Z	Fairchild Semiconductor	TRANS NPN 15V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	KSC1674YTA	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 20V 20MA TO-92	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2N5770	Fairchild Semiconductor	IC TRANS NPN SS RF 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MMBTH11	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR RF NPN SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BF494	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR RF NPN 20V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	PN5179_D75Z	Fairchild Semiconductor	TRANS RF NPN 12V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	KSC2755YMTF	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 30V 20MA SOT-23		Доп. информация Искать в поставщиках
	KSC1393YBU	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 30V 20MA TO-92	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	KSC1393YTA	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 30V 20MA TO-92	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSH81_D26Z	Fairchild Semiconductor	TRANS RF PNP 20V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 600MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MMBTH34	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR RF NPN SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 500MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 2V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	KSC2786OBU	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 20V 20MA TO-92S		Доп. информация Искать в поставщиках
	KSC1393OTA	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 30V 20MA TO-92	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSH17_D27Z	Fairchild Semiconductor	TRANS NPN 15V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	KSP10BU	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR RF NPN 25V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	PN5179_D26Z	Fairchild Semiconductor	TRANS RF NPN 12V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSH10_D75Z	Fairchild Semiconductor	TRANS RF NPN 25V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSH10	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN RF VHF/UHF TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MMBTH10	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR RF NPN SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BF240	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR RF NPN 40V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 1.1GHz · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

KSC2786OTA — TRANSISTOR NPN 20V 20MA TO-92S

Аналогичные по характеристикам