Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

BLS2731-10,114 — TRANSISTOR RF POWER SOT445C

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	75V
Модуляция частот	3.1GHz
Усиление	10dB
Мощность макcимальная	145Вт
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 250mA, 5V
Ток коллектора (макс)	1.5A
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-445C
Встречается под наим.	BLS2731-10 TRAY, BLS2731-10 TRAY-ND