Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

BGB 540 E6327 — TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343

Производитель	Infineon Technologies
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	4.5V
Усиление	17.5dB
Мощность макcимальная	120mW
Тип транзистора	NPN
Ток коллектора (макс)	30mA
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Compression Point (P1dB)	12dBm
Встречается под наим.	BGB540E6327XT, SP000013194