BFP 620 E7764 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.3V · Модуляция частот: 65GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 185mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 14.5dBm

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BFP620E6327	Infineon Technologies	TRANS NPN RF 2.3V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.3V · Модуляция частот: 65GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 185mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 14.5dBm		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

BFP 620 E7764 — TRANSISTOR RF NPN 2.3V SOT-343

Аналогичные по характеристикам