BFP 540 E6327 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 30GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 11dBm

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BFP 540ESD E6327	Infineon Technologies	TRANS RF NPN 4.5V ESD SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 30GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 11dBm	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

BFP 540 E6327 — TRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343

Аналогичные по характеристикам