Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

BFG198,115 — TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	10V
Модуляция частот	8GHz
Мощность макcимальная	1Вт
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 50mA, 5V
Ток коллектора (макс)	100mA
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Встречается под наим.	BFG198 T/R, BFG198 T/R-ND