Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

BFG10W/X,115 — TRANS NPN 10V 250MA SOT343N

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	10V
Модуляция частот	1.9GHz
Мощность макcимальная	400мВт
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 50mA, 5V
Ток коллектора (макс)	250mA
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-343N
Встречается под наим.	BFG10W/X T/R, BFG10W/X T/R-ND