 |
BF959RL1 — TRANS RF NPN 20V 100MA TO-92
| ||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | BF959RL1G | ON Semiconductor | TRANS RF NPN 20V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 700MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
 | BF959ZL1 | ON Semiconductor | TRANS RF NPN 20V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 700MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| BF959ZL1G | ON Semiconductor | TRANS RF NPN 20V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 700MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| BF959 | ON Semiconductor | TRANS RF NPN 20V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 700MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| BF959G | ON Semiconductor | TRANS RF NPN 20V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 700MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
