Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель	Infineon Technologies
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	20В
Модуляция частот	1.1GHz
Коэфицент шума (dB Typ @ f)	3dB @ 100MHz
Мощность макcимальная	280mW
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 20mA
Ток коллектора (макс)	35mA
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-323
Встречается под наим.	BF799WE6327, BF799WE6327XT, SP000010975

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BF 799 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN RF 20V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 1.1GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов