AT-41533-TR1 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz · Усиление: 14.5dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 14.5dB

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	AT-41533-TR1G	Avago Technologies US Inc.	IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz · Усиление: 14.5dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 14.5dB	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

AT-41533-TR1 — IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-23

Аналогичные по характеристикам