AT-32032-TR1 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz · Усиление: 15.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 2.7V · Ток коллектора (макс): 40mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 · Compression Point (P1dB): 13dBm

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	AT-32032-TR1G	Avago Technologies US Inc.	IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz · Усиление: 15.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 2.7V · Ток коллектора (макс): 40mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 · Compression Point (P1dB): 13dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

AT-32032-TR1 — IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-323

Схожие по характеристикам