Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

 
AT-32011-TR1

AT-32011-TR1 — IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-143

ПроизводительAvago Technologies US Inc.
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)5.5V
Коэфицент шума (dB Typ @ f)1dB @ 900MHz
Усиление12.5dB ~ 14dB
Мощность макcимальная200mW
Тип транзистораNPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 2mA, 2.7V
Ток коллектора (макс)32mA
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Встречается под наим.516-1499-1
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
AT-32011-TR1GAT-32011-TR1GAvago Technologies US Inc.IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz  ·  Усиление: 12.5dB ~ 14dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 32mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA  ·  Compression Point (P1dB): 14.5dB
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
AT-32033-TR1AT-32033-TR1Avago Technologies US Inc.IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 900MHz  ·  Усиление: 12.5dB ~ 14dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 32mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «AT-32011-TR1» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте