AT-30533-TR2G | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz · Усиление: 11dB ~ 13dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 2.7V · Ток коллектора (макс): 8mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 7dBm

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	AT-30533-TR1G	Avago Technologies US Inc.	TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz · Усиление: 11dB ~ 13dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 2.7V · Ток коллектора (макс): 8mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 7dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	AT-30533-BLKG	Avago Technologies US Inc.	TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz · Усиление: 11dB ~ 13dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 2.7V · Ток коллектора (макс): 8mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 7dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

AT-30533-TR2G — TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-23

Аналогичные по характеристикам