Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

4MN10CH-TL-E — TRANS NPN 200V 100MA CPH3

Производитель	SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	200В
Модуляция частот	400MHz
Мощность макcимальная	600mW
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 10mA, 10V
Ток коллектора (макс)	100mA
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Встречается под наим.	869-1116-1