Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель
















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)








































Модуляция частот













































































Коэфицент шума (dB Typ @ f)


































































































































































Усиление


































































































































Мощность макcимальная



























































































Тип транзистора







Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce























































































































































































Ток коллектора (макс)






















































Тип монтажа


Корпус









































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
ZUMT918TAZUMT918TADiodes/ZetexTRANSISTOR NPN 15V 100MA SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 600MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX325ZTX325Diodes/ZetexTRANS HF NPN 15V 1300MHZ TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 1.3GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFS17HTABFS17HTADiodes/ZetexTRANS RF NPN 15V 25MA SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 1.3GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 25mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FMMT5179TCFMMT5179TCDiodes/ZetexTRANSISTOR RF NPN SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 2GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FMMTH10TCFMMTH10TCDiodes/ZetexTRANSISTOR RF NPN SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 500MHz  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 25mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZUMTS17HTCZUMTS17HTCDiodes/ZetexTRANSISTOR RF NPN SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 1.3GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 25mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX321ZTX321Diodes/ZetexTRANS HS SW NPN 15V 500MA TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 600MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX327ZTX327Diodes/ZetexTRANS NPN 55V 400MA TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Модуляция частот: 800MHz  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50mA, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 400mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZUMTS17TAZUMTS17TADiodes/ZetexTRANSISTOR NPN 15V 25MA SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 1.3GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 25mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX325STZZTX325STZDiodes/ZetexTRANSISTOR RF NPN TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 1.3GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFS17HTCBFS17HTCDiodes/ZetexTRANSISTOR RF NPN SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 1.3GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 25mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFQ31ATCBFQ31ATCDiodes/ZetexTRANSISTOR UHF/VHF NPN SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFQ31ATABFQ31ATADiodes/ZetexTRANSISTOR UHF/VHF NPN SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBTH34MMBTH34Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Модуляция частот: 500MHz  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBTH24MMBTH24Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Модуляция частот: 400MHz  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC1730YBUKSC1730YBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 15V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC2756RMTFKSC2756RMTFFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 20V 30MA SOT-23Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC1674RBUKSC1674RBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 20V 20MA TO-92от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPS5179_D27ZMPS5179_D27ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 12V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 2GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF199_J35ZBF199_J35ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 25V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PN918_D74ZPN918_D74ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 15V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 600MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSP10TAKSP10TAFairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN 25V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5770_D27ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF199Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN 25V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF240_J35ZBF240_J35ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 40V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  12345678 ... 30  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте