Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

3MN03SF-TL-E — TRANS NPN 20V 30MA SSFP

Производитель	SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	20В
Модуляция частот	320MHz
Коэфицент шума (dB Typ @ f)	3dB @ 100MHz
Мощность макcимальная	150mW
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 1mA, 6V
Ток коллектора (макс)	30mA
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Встречается под наим.	869-1114-1