Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

2SC6023-TR-E — TRANS NPN 3.5V 35MA MCP4

Производитель	SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	3.5V
Модуляция частот	14.5GHz
Коэфицент шума (dB Typ @ f)	1.2dB @ 2GHz
Мощность макcимальная	120mW
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 15mA, 3V
Ток коллектора (макс)	35mA
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Встречается под наим.	869-1104-6