Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
![]() | BFT25A,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 32mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V · Ток коллектора (макс): 6.5mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BFT92,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 25MA 15V 5GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.5dB @ 500MHz · Усиление: 18dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 14mA, 10V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BFT92E6327 | Infineon Technologies | TRANS PNP RF 15V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: PNP · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | BFT92W,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 4GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.5dB @ 500MHz · Усиление: 17dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BFT93,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 12V 5GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.4dB @ 500MHz · Усиление: 16.5dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 30mA, 5V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BFT93W,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 12V 50MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.4dB ~ 3dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 30mA, 5V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BFU725F,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 20GHZ SOT343F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.2V · Модуляция частот: 68GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.67dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz · Усиление: 13dB ~ 8.5dB · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 40mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343F, SOT-343 Flat Leads | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BGB 540 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Усиление: 17.5dB · Мощность макcимальная: 120mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 12dBm | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLS2731-10,114 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF POWER SOT445C Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.1GHz · Усиление: 10dB · Мощность макcимальная: 145Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 5V · Ток коллектора (макс): 1.5A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-445C | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLS2731-110,114 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF POWER SOT423A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.1GHz · Усиление: 7dB · Мощность макcимальная: 500W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 5V · Ток коллектора (макс): 12A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-423A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLS2731-20,114 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF POWER SOT445C Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.1GHz · Усиление: 10dB · Мощность макcимальная: 270Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V · Ток коллектора (макс): 3A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-445C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLS2731-50,114 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF POWER SOT422A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.1GHz · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 80Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V · Ток коллектора (макс): 6A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-422A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLS3135-10,114 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF POWER SOT445C Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.5GHz · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 34Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 5V · Ток коллектора (макс): 1.5A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-445C | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLS3135-20,114 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF POWER SOT422A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.5GHz · Усиление: 8dB · Мощность макcимальная: 80Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V · Ток коллектора (макс): 2A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-422A | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLS3135-50,114 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF POWER SOT422A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.5GHz · Усиление: 8dB · Мощность макcимальная: 80Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V · Ток коллектора (макс): 6A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-422A | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLS3135-65,114 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF POWER SOT422A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.5GHz · Усиление: 7dB · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 5V · Ток коллектора (макс): 8A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-422A | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
![]() | BLT50,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 7.5V SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 470MHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V · Ток коллектора (макс): 500mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BLT70,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 8V 250MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 8V · Модуляция частот: 900MHz · Мощность макcимальная: 2.1W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 4.8V · Ток коллектора (макс): 250mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BLT80,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 10V 250MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 900MHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 150mA, 5V · Ток коллектора (макс): 250mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | BLT81,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 9.5V 500MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 9.5V · Модуляция частот: 900MHz · Усиление: 6.5dB · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V · Ток коллектора (макс): 500mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
CA3127MZ | Intersil | TRANSISTOR ARRAY NPN 16-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.15GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.2dB @ 100KHz · Усиление: 27dB ~ 30dB · Мощность макcимальная: 85mW · Тип транзистора: 5 NPN · Ток коллектора (макс): 20mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CPH6005-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | TRANS PNP 20V 300MA CPH6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 1.5GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс): 300mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CPH6006-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | TRANS NPN 20V 300MA CPH6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 2.2GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс): 300mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CPH6071-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | TRANS PNP/NPN 20V 0.3MA CPH6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 2.2GHz · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип транзистора: NPN, PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс): 300mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | FMMT5179TA | Diodes/Zetex | TRANS RF NPN 12V 50MA SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |