Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель
















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)








































Модуляция частот













































































Коэфицент шума (dB Typ @ f)


































































































































































Усиление


































































































































Мощность макcимальная



























































































Тип транзистора







Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce























































































































































































Ток коллектора (макс)






















































Тип монтажа


Корпус









































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NE68119-T1-ANE68119-T1-ANECTRANSISTOR NPN 1GHZ SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 7GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz  ·  Усиление: 14dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 100mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68019-ANECTRANSISTOR NPN 2GHZ 3-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 10GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz  ·  Усиление: 13.5dB ~ 9.6dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA802T-AUPA802T-ANECTRANSISTOR NPN HF 7GHZ SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 7GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.7dB @ 1GHz  ·  Усиление: 10dB ~ 12dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68030-T1NE68030-T1NECTRANS NPN 2GHZ SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 10GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz  ·  Усиление: 12.5dB ~ 5.3dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68619-ANECTRANSISTOR NPN 2GHZ SC-90
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V  ·  Модуляция частот: 13GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz  ·  Мощность макcимальная: 30mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 10mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-XSOF, MiniMold
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68519-ANECTRANSISTOR NPN 2GHZ SC-90
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 12GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 8.5dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-XSOF, MiniMold
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA800T-T1UPA800T-T1NECTRANS NPN HF FT=8GHZ SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 5.5dB ~ 7.5dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68019-T1-ANE68019-T1-ANECTRANSISTOR NPN 2GHZ SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 10GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz  ·  Усиление: 13.5dB ~ 9.6dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE85630-T1NECTRANS NPN 1GHZ SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz  ·  Усиление: 12dB ~ 6dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE85630-T1-R25-ANECTRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz  ·  Усиление: 12dB ~ 6dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE85633-T1BNE85633-T1BNECTRANS NPN 1GHZ SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 7GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz  ·  Усиление: 9dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE678M04-ANE678M04-ANECTRANSISTOR NPN 1.8GHZ M04
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 12GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Мощность макcимальная: 205mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M04  ·  Compression Point (P1dB): 18dBm
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE85634-T1-ANE85634-T1-ANECTRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 6.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2046M33-ANECTRANS NPN 2GHZ M33
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 18GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 9.5dB ~ 11.5dB  ·  Мощность макcимальная: 130mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 40mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M33
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE856M02-AZNECTRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68830-T1-ANECTRANS NPN 2GHZ SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 9GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 2.5dB ~ 3.5dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE687M03-T1-ANECTRANSISTOR NPN 2GHZ SC-90
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V  ·  Модуляция частот: 14GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 8.5dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 90mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-XSOF, MiniMold
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE52418-T1-ANECIC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 14dB ~ 16dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 40mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 4P
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG3031M14-T3-ANECTRANS NPN 5.8GHZ M14
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.3V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.95dB @ 2.4GHz ~ 5.2GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 6mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M14  ·  Compression Point (P1dB): 13dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68519-T1NE68519-T1NECTRANS NPN 2GHZ SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 12GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 8.5dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE97833-ANE97833-ANECTRANS PNP 1GHZ SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 5.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG270034-T1-AZNESG270034-T1-AZNECTRANSISTOR NPN 25V 3-MINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 9.2V  ·  Мощность макcимальная: 1.9Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 750mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Mini 3P
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68939-ANECTRANS NPN 1.9GHZ SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Усиление: 6.5dB ~ 8dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 3.6V  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE85619-T1NE85619-T1NECTRANS NPN 1GHZ SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz  ·  Усиление: 12.5dB ~ 6.5dB  ·  Мощность макcимальная: 100mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68719-T1NE68719-T1NECTRANS NPN 2GHZ SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V  ·  Модуляция частот: 11GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 8.5dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 90mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 78910111213 ... 30  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте