Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

PTFA091201E V4 R250 — IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2

ПроизводительInfineon Technologies
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораLDMOS
Частота960MHz
Усиление19dB
Номинальное напряжение65V
Номинал тока10µA
Ток - тестовый750mA
Напряжение - тестовое28V
P1dB110Вт
Встречается под наим.SP000387060
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PTFA091201F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 120W H-37248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 110Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PTFA091201E V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 120W H-36248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 110Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PTFA091201F V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 120W H-37248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 110Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «PTFA091201E V4 R250» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте