Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

PTF080101S V1 — IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2

Производитель	Infineon Technologies
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	GOLDMOS®
Тип транзистора	LDMOS
Частота	960MHz
Усиление	18.5dB
Номинальное напряжение	65V
Номинал тока	1µA
Ток - тестовый	150mA
Напряжение - тестовое	28V
P1dB	10Вт
Корпус	H32259-2
Встречается под наим.	F080101SV1XT, PTF080101SV1XT, SP000018181