Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель	STMicroelectronics
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Тип транзистора	LDMOS
Частота	870MHz
Усиление	17dB
Номинальное напряжение	40В
Номинал тока	8A
Ток - тестовый	350mA
Напряжение - тестовое	13.6V
P1dB	15Вт
Корпус	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PD85035-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PD85035STR-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	PD85035S-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов