Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
PD85025TR-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17.3dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
PD85025S-E | STMicroelectronics | TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17.3dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
PD85025STR-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17.3dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |