Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы
 
PD57018S-E

- Габаритный чертеж

PD57018S-E — TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10

ПроизводительSTMicroelectronics
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораLDMOS
Частота945MHz
Усиление16.5dB
Номинальное напряжение65V
Номинал тока2.5A
Ток - тестовый100mA
Напряжение - тестовое28V
P1dB18W
КорпусPowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Встречается под наим.497-5306-5
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PD57018SSTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 2.5A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 18W  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PD57018-EPD57018-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 2.5A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 18W  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках
PD57018STMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 2.5A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 18W  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PD57018STR-EPD57018STR-ESTMicroelectronicsTRANSISTOR RF POWERSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 2.5A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 18W  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PD57018TR-EPD57018TR-ESTMicroelectronicsTRANSISTOR RF POWERSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 2.5A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 18W  ·  Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «PD57018S-E» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте