Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
PD57018-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
PD57018S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
PD57018 | STMicroelectronics | IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
PD57018STR-E | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWERSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
PD57018TR-E | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWERSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |