Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель	STMicroelectronics
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Тип транзистора	LDMOS
Частота	945MHz
Усиление	15dB
Номинальное напряжение	65V
Номинал тока	1A
Ток - тестовый	70mA
Напряжение - тестовое	28V
P1dB	6W
Корпус	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Встречается под наим.	497-6475-1

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PD57006-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 70mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 6W · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	PD57006STR-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 70mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 6W · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PD57006S	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 70mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 6W · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	PD57006S-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 70mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 6W · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов