Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель	STMicroelectronics
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Тип транзистора	LDMOS
Частота	500MHz
Усиление	16.9dB
Номинальное напряжение	40В
Номинал тока	7A
Ток - тестовый	200mA
Напряжение - тестовое	12.5V
P1dB	35Вт
Корпус	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Встречается под наим.	497-6717-5, PD55035-E-ND

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PD55035STR-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 16.9dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 35Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	PD55035S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 16.9dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 35Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов