Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

PD55015STR-E — IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10

ПроизводительSTMicroelectronics
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораLDMOS
Частота500MHz
Усиление14dB
Номинальное напряжение40В
Номинал тока5A
Ток - тестовый150mA
Напряжение - тестовое12.5V
P1dB15Вт
КорпусPowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PD55015S-EPD55015S-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 5A  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 12.5V  ·  P1dB: 15Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PD55015TR-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 5A  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 12.5V  ·  P1dB: 15Вт  ·  Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
PD55015-EPD55015-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 5A  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 12.5V  ·  P1dB: 15Вт  ·  Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «PD55015STR-E» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте