PD20010S-E — TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
| ||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| PD20010TR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| PD20010-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| PD20010STR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца