Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы
 

NE651R479A-T1-A — HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A

ПроизводительNEC
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораHFET
Частота1.9GHz
Усиление12dB
Номинальное напряжение8V
Номинал тока1A
Ток - тестовый50mA
Напряжение - тестовое3.5V
P1dB27dBm
Корпус79A
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NE651R479A-ANE651R479A-ANECHJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 1.9GHz  ·  Усиление: 12dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 1A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 3.5V  ·  P1dB: 27dBm  ·  Корпус: 79A
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «NE651R479A-T1-A» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте