Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы
 
NE3514S02-A

- Габаритный чертеж

NE3514S02-A — HJ-FET NCH 10DB S02

ПроизводительNEC
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораHFET
Частота20GHz
Усиление10dB
Номинальное напряжение4V
Номинал тока70mA
Коэффициент шума0.75dB
Ток - тестовый10mA
Напряжение - тестовое2V
КорпусS02
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NE3514S02-T1C-ANECHJ-FET NCH 10DB S02
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 20GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 70mA  ·  Коэффициент шума: 0.75dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  Корпус: S02
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
NE3514S02-T1D-ANECHJ-FET NCH 10DB S02
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 20GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 70mA  ·  Коэффициент шума: 0.75dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  Корпус: S02
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «NE3514S02-A» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте