Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

NE3510M04-A — HJ-FET N-CH 4GHZ M04

Производитель	NEC
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Тип транзистора	HFET
Частота	4GHz
Усиление	16dB
Номинальное напряжение	4V
Номинал тока	97mA
Коэффициент шума	0.45dB
Ток - тестовый	15mA
Напряжение - тестовое	2V
P1dB	11dBm
Корпус	M04