Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы
 
NE3508M04-A

- Габаритный чертеж

NE3508M04-A — AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI

ПроизводительNEC
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораHFET
Частота2GHz
Усиление14dB
Номинальное напряжение4V
Номинал тока120mA
Коэффициент шума0.45dB
Ток - тестовый10mA
Напряжение - тестовое2V
P1dB18dBm
КорпусS-Mini 4P
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NE3508M04-T2-ANE3508M04-T2-ANECAMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 120mA  ·  Коэффициент шума: 0.45dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 18dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «NE3508M04-A» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте