Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

NE350184C — HJ-FET 20GHZ MICRO-X

Производитель	NEC
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Тип транзистора	HFET
Частота	20GHz
Усиление	13.5dB
Номинальное напряжение	4V
Номинал тока	70mA
Коэффициент шума	0.7dB
Ток - тестовый	10mA
Напряжение - тестовое	2V
Корпус	Micro-X ceramic (84C)
Встречается под наим.	Q2712397