Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

NE25139-T1-U73 — FET 900 MHZ SOT-143

ПроизводительNEC
Тип транзистораDual Gate MESFET
Частота900MHz
Усиление20dB
Номинальное напряжение13V
Номинал тока40mA
Коэффициент шума1.1dB
Ток - тестовый10mA
Напряжение - тестовое5V
КорпусSOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Встречается под наим.NE25139-U73-T1, NE25139U73, NE25139U73-E1, NE25139U73-ND, NE25139U73TR, Q805260
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NE25139-T1NECFET 900 MHZ SOT-143
Тип транзистора: Dual Gate MESFET  ·  Частота: 900MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 13V  ·  Номинал тока: 40mA  ·  Коэффициент шума: 1.1dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NE25118NE25118NECFET 900MHZ SOT-343
Тип транзистора: Dual Gate MESFET  ·  Частота: 900MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 13V  ·  Номинал тока: 40mA  ·  Коэффициент шума: 1.1dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках
NE25118-T1NE25118-T1NECFET 900MHZ SOT-343
Тип транзистора: Dual Gate MESFET  ·  Частота: 900MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 13V  ·  Номинал тока: 40mA  ·  Коэффициент шума: 1.1dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «NE25139-T1-U73» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте