Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

MRFG35003ANR5 — TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5

ПроизводительFreescale Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораpHEMT FET
КорпусPLD-1.5
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRFG35003N6AT1Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 6V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35005MR5Freescale SemiconductorMOSFET RF 3.5GHZ 12V 1.5PLD
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 1.7A  ·  Ток - тестовый: 80mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 4.5W  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35010NR5MRFG35010NR5Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF 9W 12V POWER FET
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 9Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35003M6R5Freescale SemiconductorMOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 9dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 6V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35003NT1Freescale SemiconductorMOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 1.3A  ·  Ток - тестовый: 55mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35002N6R5Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF 1.5W 6V POWER FET
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 1.7A  ·  Ток - тестовый: 65mA  ·  Напряжение - тестовое: 6V  ·  P1dB: 1.5Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35010NT1Freescale SemiconductorMOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 9Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35003M6T1Freescale SemiconductorMOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 9dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 6V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35005NT1Freescale SemiconductorMOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 1.7A  ·  Ток - тестовый: 80mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 4.5W  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35005NR5Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 1.7A  ·  Ток - тестовый: 80mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 4.5W  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35003NR5Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF 3W 12V POWER FET
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 1.3A  ·  Ток - тестовый: 55mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35002N6T1Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 1.7A  ·  Ток - тестовый: 65mA  ·  Напряжение - тестовое: 6V  ·  P1dB: 1.5Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35003MT1Freescale SemiconductorMOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 1.3A  ·  Ток - тестовый: 55mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35002N6AT1Freescale SemiconductorTRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 1.7A  ·  Ток - тестовый: 65mA  ·  Напряжение - тестовое: 6V  ·  P1dB: 1.5Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35005MT1Freescale SemiconductorMOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 1.7A  ·  Ток - тестовый: 80mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 4.5W  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35010ANT1Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 130mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 9Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35010MT1Freescale SemiconductorMOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 9Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35005ANT1Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF 4.5W 12V PLD-1.5
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 1.7A  ·  Ток - тестовый: 80mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 4.5W  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35003ANT1Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10.8dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 1.3A  ·  Ток - тестовый: 55mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFG35003N6T1Freescale SemiconductorMOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 9dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 6V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MRFG35003ANR5» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте