Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

MRFE6S9160HSR5 — MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780S

ПроизводительFreescale Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораN-Channel
Частота880MHz
Усиление21dB
Номинальное напряжение66V
Номинал тока10µA
Ток - тестовый1.2A
Напряжение - тестовое28V
P1dB35Вт
КорпусNI-780S
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRFE6S9160HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 66V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.2A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 35Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRFE6S9160HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 66V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.2A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 35Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRFE6S9160HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 66V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.2A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 35Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MRFE6S9160HSR5» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте