Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 
MRF5S9100NR1

MRF5S9100NR1 — MOSFET N-CH 100W 26V TO-270-4

ПроизводительFreescale Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораN-Channel
Частота880MHz
Усиление19.5dB
Номинальное напряжение68V
Номинал тока10µA
Ток - тестовый950mA
Напряжение - тестовое26V
P1dB20Вт
КорпусTO-270-4
Встречается под наим.MRF5S9100NR1TR
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF5S9100MR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 26V 20W TO-270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 19.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF5S9100NBR1MRF5S9100NBR1Freescale SemiconductorMOSFET N-CH 100W 26V TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 19.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF5S9100MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 26V 20W TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 19.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MRF5S9100NR1» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте