Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

BF1201WR,115 — MOSFET NCH DUAL GATE 10V SOT343R

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Тип транзистора	N-Channel Dual Gate
Частота	400MHz
Усиление	29dB
Номинальное напряжение	10V
Номинал тока	30mA
Коэффициент шума	1dB
Ток - тестовый	15mA
Напряжение - тестовое	5V
Корпус	CMPAK-4
Встречается под наим.	BF1201WR T/R, BF1201WR T/R-ND