Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

BF1101WR,115 — MOSFET N-CH 7V 30MA SOT343R

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Тип транзистора	N-Channel Dual Gate
Частота	800MHz
Номинальное напряжение	7V
Номинал тока	30mA
Коэффициент шума	1.7dB
Ток - тестовый	12mA
Напряжение - тестовое	5V
Корпус	CMPAK-4
Встречается под наим.	BF1101WR T/R, BF1101WR T/R-ND