Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF7S18170HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH NI-880S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.81GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 50Вт  ·  Корпус: NI-880S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G38LS-100,112NXP SemiconductorsIC WIMAX 3.8GHZ 2-LDMOST
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 3.4GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 34A  ·  Ток - тестовый: 1.05A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 18.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G38-100,112NXP SemiconductorsTRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 3.4GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 34A  ·  Ток - тестовый: 1.05A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 18.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-160,112BLF6G10LS-160,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1GHz  ·  Усиление: 28dB  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S21170HSR5Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-880S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 50Вт  ·  Корпус: NI-880S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S21170HR5Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-880
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 50Вт  ·  Корпус: NI-880
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFE6P9220HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 200W NI-860C3
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 66V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 47Вт  ·  Корпус: NI-860C3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6P9220HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 47Вт  ·  Корпус: NI-860C3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA092201F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.85A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 220Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA092201E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 220W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.85A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 220Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA082201F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 894MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.95A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 220Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA082201E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 220W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 894MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.95A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 220Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-160,118BLF6G10LS-160,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1GHz  ·  Усиление: 28dB  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S16150HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.6GHz  ·  Усиление: 19.7dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.5A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 32Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S16150HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.6GHz  ·  Усиление: 19.7dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.5A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 32Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S19130HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 26W NI-880S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.2A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 26Вт  ·  Корпус: NI-880S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF573S,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 225MHz  ·  Усиление: 27.2dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 42A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 300Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S27130HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 23W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.5GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.5A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 23Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S27130HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 23W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.5GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.5A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 23Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S18170HR3Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF LDMOS NI-880
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.81GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 50Вт  ·  Корпус: NI-880
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S19170HR3Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-880
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 17.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 50Вт  ·  Корпус: NI-880
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S19170HSR3Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-880S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 17.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 50Вт  ·  Корпус: NI-880S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S18170HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH NI-880S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.81GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 50Вт  ·  Корпус: NI-880S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD3933SD3933STMicroelectronicsIC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M177
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 29dB  ·  Номинальное напряжение: 250V  ·  Номинал тока: 20A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 100V  ·  P1dB: 350Вт  ·  Корпус: M177
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF871,112BLF871,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT467C
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 860MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 89V  ·  Номинал тока: 1.4µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 40В  ·  P1dB: 100Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 567891011 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте