Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BLA1011-10,112	NXP Semiconductors	TRANS LDMOS NCH 75V SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 2.2A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 10Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLS6G3135-20,112	NXP Semiconductors	TRANS LDMOS 3.5GHZ SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 2.1A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 20Вт · Корпус: SOT-608A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLS6G3135-120,112	NXP Semiconductors	TRANS LDMOS 3.5GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 7.2A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 130Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G10-45,112	NXP Semiconductors	TRANS LDMOS 1GHZ SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 922.5MHz · Усиление: 22.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 1Вт · Корпус: SOT-608A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G10-45,135	NXP Semiconductors	TRANS LDMOS 1GHZ SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 922.5MHz · Усиление: 22.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 1Вт · Корпус: SOT-608A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BF256A	ON Semiconductor	TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 800MHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 7mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BF256AG	ON Semiconductor	TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 800MHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 7mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BF245A	ON Semiconductor	TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 100mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BF245B	ON Semiconductor	TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 100mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	J309	ON Semiconductor	TRANS GP JFET N-CH 25V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 30mA · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	J309G	ON Semiconductor	TRANS GP JFET N-CH 25V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 30mA · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MMH3111NT1	Freescale Semiconductor	TRANS GAAS HFET SOT-89 Тип транзистора: HFET · Частота: 900MHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 300mA · Коэффициент шума: 3.2dB · Напряжение - тестовое: 5V · P1dB: 22.5dBm · Корпус: SOT-89-3, TO-243-3	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G20-45,135	NXP Semiconductors	TRANS BASESTATION LDMOS SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.8GHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 360mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2.5Вт · Корпус: SOT-608A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G22LS-100,118	NXP Semiconductors	TRANS BASESTATION 2-LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 29A · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 25Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G22-180PN,112	NXP Semiconductors	TRANS BASESTATION 2-LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 50Вт · Корпус: 5-LDMOST	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G22LS-75,112	NXP Semiconductors	TRANS BASESTATION 2-LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 18.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 690mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 17Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G22LS-75,118	NXP Semiconductors	TRANS BASESTATION 2-LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 18.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 690mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 17Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G22LS-100,112	NXP Semiconductors	TRANS BASESTATION 2-LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 29A · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 25Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	CGH40090PP	Cree Inc	TRANS 90W RF GAN HEMT 440199 PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 2GHz · Усиление: 12.5dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 28A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 440199	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	CGH40045F	Cree Inc	TRANS 45W RF GAN HEMT 440193 PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 2.5GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 14A · Ток - тестовый: 400mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт · Корпус: 440193	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	CGH40035F	Cree Inc	TRANS 35W RF GAN HEMT 440193 PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 3.5GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 10.5A · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: 440193	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	CGH40025F	Cree Inc	TRANS 25W RF GAN HEMT 440166 PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 3.7GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: 440166	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	CGH40180PP	Cree Inc	TRANS 180W RF GAN HEMT 440199PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 1.3GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 56A · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 220Вт · Корпус: 440199		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	CGH40120F	Cree Inc	TRANS 120W RF GAN HEMT 440193PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 1.3GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 28A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 120W · Корпус: 440193	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	CGH40010F	Cree Inc	TRANS 10W RF GAN HEMT 440166 PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 3.7GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 3.5A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 12.5W · Корпус: 440166	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 5 6 789 10 11 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте