Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PTFA261301E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: H30260-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA241301F V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.42GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.15A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA261301F V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA081501E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 150W H-30248-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 900MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTF141501E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 150W H-30260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 1.5A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA081501F V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 900MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA041501GL V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA041501GL V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA041501HL V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA041501HL V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA261702E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.66GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 170Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA211801E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA211801E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA211801F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA211801F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA212001E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA212001E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192001E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192001E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA212001F/1 P4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192001F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA212001F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA212001F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA192001F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 15.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA082201E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 4 5 678 9 10 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте