| Войти Регистрация |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| PTFA181001E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA191001E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 44dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA181001F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA191001F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 44dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA181001F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA191001F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 44dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA181001GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA181001GL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA181001HL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA181001HL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTF240101S V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: H32259-2 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTF080101S V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: H32259-2 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTF180101S V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: H32259-2 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTF180101M V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: 10-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTF080101M V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: 10-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTF210101M V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.17GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: 10-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA091201E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA091201E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA091201F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA091201F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA091201GL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA091201GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA091201HL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA091201HL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA241301E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.42GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.15A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: H30260-2 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |