| Войти Регистрация |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| PTFA260851E V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 85W H-30248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA260851E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 85W H-30248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA260451E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: H30265-2 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA241301F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.42GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.15A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA241301E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.42GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.15A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: H30260-2 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA240451E V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.48GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA240451E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.48GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: H30265-2 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA212401F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA212401F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA212401E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA212401E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA212001F/1 P4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
| PTFA212001F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA212001F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA212001E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA212001E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA211801F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA211801F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA211801E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 180W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA211801E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 180W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA210701F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA210701F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA210701E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA210701E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
| PTFA210601F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |