Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BLF3G21-6,112	NXP Semiconductors	BASESTATION DVR 2.2GHZ SOT538A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.3A · Ток - тестовый: 90mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 6W · Корпус: SOT-538A	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF5S9070NR1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 17.8dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 14Вт · Корпус: TO-270-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010MT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010NT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010ANT1	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 130mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTF180101S V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: H32259-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTF240101S V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: H32259-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57030S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57030-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF5S9070NR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 17.8dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 14Вт · Корпус: TO-270-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	SD2918	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 6A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 30Вт · Корпус: M113	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF9060NR1	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN TO270-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 945MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 60Вт · Корпус: TO-270-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF1570FNT1	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN TO272-8 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 470MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 70Вт · Корпус: TO-272-6	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF1570NT1	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN TO272-8 WRAP Тип транзистора: N-Channel · Частота: 470MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 70Вт · Корпус: TO-272-6 wrap	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	SD2900	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 400MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 900mA · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 5Вт · Корпус: M113	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	SD2902	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 400MHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 25mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 15Вт · Корпус: M113	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57018STR-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF POWERSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57018TR-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF POWERSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57030	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFE6S9060NR1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 14W TO-270-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 21.1dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 14Вт · Корпус: TO-270-2	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF1043,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF LDMOS SOT538A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.2A · Ток - тестовый: 85mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 10Вт · Корпус: SOT-538A	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010NR5	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF 9W 12V POWER FET Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	SD2904	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 400MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: M113	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF242,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 5Вт · Корпус: SOT-123A	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF245,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 6A · Коэффициент шума: 2dB · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: SOT-123A	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 14 15 161718 19 20 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте